Прорыв в памяти нового поколения: 10 миллиардов циклов перезаписи HOT
Китайская исследовательская группа утверждает, что устранила проблему долговечности сегнетоэлектрической памяти, доведя устройства до более чем 10 миллиардов циклов перезаписи. Это достижение может приблизить более быструю и энергоэффективную память к повседневным чипам.