Doorbraak in next-gen geheugen: 10 miljard lees-schrijfcycli HOT
Een door China geleid onderzoeksteam zegt de duurzaamheidsfout in ferro-elektrisch geheugen te hebben opgelost, waardoor apparaten meer dan 10 miljard lees-schrijfcycli halen. De vooruitgang kan snellere, energiezuinige opslag dichter bij alledaagse chips brengen.