Svolta nella memoria di nuova generazione: 10 miliardi di cicli di lettura-scrittura HOT
Un team di ricerca guidato dalla Cina afferma di aver risolto il difetto di durabilità della memoria ferroelettrica, spingendo i dispositivi oltre 10 miliardi di cicli di lettura-scrittura. Il progresso potrebbe avvicinare un'archiviazione più veloce e a basso consumo ai chip di uso quotidiano.