Percée dans la mémoire de nouvelle génération : 10 milliards de cycles de lecture-écriture HOT
Une équipe de recherche dirigée par la Chine affirme avoir corrigé le défaut de durabilité de la mémoire ferroélectrique, poussant les dispositifs au-delà de 10 milliards de cycles de lecture-écriture. Cette avancée pourrait rapprocher un stockage plus rapide et économe en énergie des puces du quotidien.