Samsung adopte le procédé 3 nm de TSMC pour la prochaine génération de HBM de Nvidia
Samsung Electronics utilisera le procédé de fabrication 3 nanomètres de TSMC pour produire la puce de base de la prochaine génération de mémoire à large bande passante (HBM) personnalisée de Nvidia, selon un rapport du Seoul Economic Daily. La puce de base est la couche de semi-conducteur système située sous le cœur de mémoire et qui aide à gérer le flux de données. Jusqu’à présent, Samsung fabriquait à la fois la puce cœur et la puce de base pour chaque produit HBM qu’il fournissait, gardant l’ensemble de la pile en interne.
La décision marque la première fois que Samsung s’associe à TSMC, le plus grand fondeur de puces au monde, au stade de la fabrication de HBM. Elle rompt également le modèle intégré clé en main de Samsung pour la HBM, dans lequel une seule entreprise gère chaque étape, des cellules de mémoire à la couche logique. Nvidia, qui conçoit les processeurs graphiques dominant l’entraînement de l’IA, aurait demandé aux trois principaux fournisseurs de HBM — Samsung, SK Hynix et Micron — d’utiliser le procédé de TSMC pour la puce de base de ses produits NVHBM, tout en utilisant la technologie DRAM de sixième génération pour les puces cœur.
La puce de base est devenue plus importante à mesure que la HBM a évolué. Dans les générations précédentes, la puce de base était une puce logique relativement simple. Dans la HBM personnalisée, elle assume davantage le travail de routage des données entre le GPU et les couches de mémoire empilées, et ses performances et son efficacité énergétique affectent de plus en plus l’ensemble du système. La volonté de Nvidia de standardiser sur le nœud avancé de TSMC suggère qu’elle souhaite un contrôle plus strict de cette couche logique chez les fournisseurs.
Pour Samsung, cet accord est une concession pragmatique. L’entreprise a investi massivement dans sa propre activité de fonderie et a tenté de convaincre les clients d’une offre entièrement intégrée mémoire-plus-logique. Mais Nvidia est le plus grand client dans les accélérateurs d’IA, et ses exigences techniques pèsent. Accepter TSMC comme partenaire pour la puce de base pourrait aider Samsung à gagner ou à conserver une plus grande part des commandes de HBM de Nvidia, même si cela signifie renoncer à une partie de la valeur qu’il capturait auparavant en interne.
Pour TSMC, l’accord étend sa portée dans la chaîne d’approvisionnement de mémoire. L’entreprise est déjà le principal fabricant des GPU de Nvidia, et produire des puces de base HBM ajoute un autre flux de revenus de nœud avancé. Cela approfondit également la dépendance de l’écosystème matériel de l’IA à un seul fondeur, une concentration qui a attiré l’attention alors que la demande de puces d’IA a explosé.
Le rapport n’a pas précisé les volumes, les calendriers ni les conditions financières. Il n’a pas non plus indiqué si SK Hynix et Micron ont accepté le même arrangement, bien que la demande de Nvidia ait été décrite comme s’appliquant aux trois. Les représentants de Samsung, TSMC et Nvidia n’ont pas immédiatement commenté le rapport.
Ce changement intervient alors que la HBM est devenue l’un des segments les plus disputés de l’industrie des semi-conducteurs. Les serveurs d’IA ont besoin d’énormes quantités de cette mémoire, qui est empilée verticalement et placée près du processeur pour réduire les goulots d’étranglement. L’offre a eu du mal à suivre la demande, et les principaux fabricants de mémoire se précipitent pour qualifier leurs prochaines générations auprès de Nvidia. La manière dont Samsung conciliera ses propres ambitions de fonderie avec la préférence de Nvidia pour le procédé de TSMC sera l’une des questions clés pour l’industrie de la mémoire l’année prochaine.