三星採用台積電3奈米製程生產輝達新一代HBM

據《首爾經濟日報》報導，三星電子將採用台積電3奈米製程為輝達下一代客製化高頻寬記憶體（HBM）生產基礎晶粒。基礎晶粒是位於記憶體核心下方、協助管理資料流的系統半導體層。迄今為止，三星為其供應的每一款HBM產品同時製造核心晶粒和基礎晶粒，將整個堆疊維持在內部生產。

此決定標誌著三星首次在HBM製造階段與全球最大晶圓代工廠台積電合作。這也打破了三星HBM的一站式統包模式，即由一家公司處理從記憶體單元到邏輯層的每一個步驟。據報導，輝達已要求三星、SK海力士和美光這三大HBM供應商在其NVHBM產品的基礎晶粒上採用台積電製程，同時核心晶片使用第六代DRAM技術。

隨著HBM演進，基礎晶粒變得更加重要。在早期世代，基礎晶粒是相對簡單的邏輯晶片。在客製化HBM中，它承擔更多在GPU與堆疊記憶體層之間路由資料的工作，其效能和功耗效率日益影響整個系統。輝達推動標準化採用台積電先進節點，表明它希望對各供應商的該邏輯層進行更嚴格的控制。

對三星而言，此安排是一種務實的讓步。該公司已在其自有晶圓代工業務上投入巨資，並試圖向客戶推銷完全整合的記憶體加邏輯方案。但輝達是AI加速器領域最大的客戶，其技術要求具有分量。接受台積電作為基礎晶粒的合作夥伴，可能有助於三星贏得或保住輝達HBM訂單中更大的份額，即使這意味著放棄部分曾由內部捕獲的價值。

對台積電而言，此交易將其觸角延伸至記憶體供應鏈。該公司已是輝達GPU的主要製造商，生產HBM基礎晶粒又增加了先進節點的收入來源。這也加深了AI硬體生態系統對單一晶圓代工廠的依賴，隨著AI晶片需求激增，這種集中度已引起關注。

報導未具體說明數量、時間表或財務條款。也未說明SK海力士和美光是否同意同樣的安排，儘管輝達的要求被描述為適用於所有三家。三星、台積電和輝達的代表未立即對該報導置評。

此轉變發生之際，HBM已成為半導體行業中競爭最激烈的部分之一。AI伺服器需要大量該記憶體，其垂直堆疊並放置在處理器附近以減少瓶頸。供應一直難以跟上需求，主要記憶體製造商正競相讓其下一代產品獲得輝達認證。三星如何平衡其自身的晶圓代工雄心與輝達對台積電製程的偏好，將是未來一年記憶體行業的關鍵問題之一。