Samsung recurre al proceso de 3 nm de TSMC para la próxima generación de HBM de Nvidia
Samsung Electronics utilizará el proceso de fabricación de 3 nanómetros de TSMC para producir el die base de la próxima generación de memoria de alto ancho de banda (HBM) personalizada de Nvidia, según un informe del Seoul Economic Daily. El die base es la capa de semiconductor de sistema que se sitúa debajo del núcleo de memoria y ayuda a gestionar el flujo de datos. Hasta ahora, Samsung fabricaba tanto el die central como el die base para cada producto HBM que suministraba, manteniendo toda la pila en casa.
La decisión marca la primera vez que Samsung se asocia con TSMC, el mayor fabricante de chips por contrato del mundo, en la etapa de fabricación de HBM. También rompe el modelo integral llave en mano de Samsung para HBM, en el que una sola empresa se encarga de cada paso, desde las celdas de memoria hasta la capa lógica. Según se informa, Nvidia, que diseña los procesadores gráficos que dominan el entrenamiento de IA, ha pedido a los tres principales proveedores de HBM —Samsung, SK Hynix y Micron— que utilicen el proceso de TSMC para el die base de sus productos NVHBM, mientras emplean tecnología DRAM de sexta generación para los chips centrales.
El die base se ha vuelto más importante a medida que ha evolucionado la HBM. En generaciones anteriores, el die base era un chip lógico relativamente simple. En la HBM personalizada, asume más trabajo de enrutamiento de datos entre la GPU y las capas de memoria apiladas, y su rendimiento y eficiencia energética afectan cada vez más a todo el sistema. El impulso de Nvidia para estandarizar en el nodo avanzado de TSMC sugiere que quiere un control más estricto sobre esa capa lógica entre proveedores.
Para Samsung, el acuerdo es una concesión pragmática. La compañía ha invertido fuertemente en su propio negocio de fundición y ha intentado vender a los clientes una oferta totalmente integrada de memoria más lógica. Pero Nvidia es el mayor cliente en aceleradores de IA, y sus requisitos técnicos tienen peso. Aceptar a TSMC como socio en el die base puede ayudar a Samsung a ganar o mantener una mayor cuota de los pedidos de HBM de Nvidia, incluso si eso significa renunciar a parte del valor que antes capturaba internamente.
Para TSMC, el acuerdo amplía su alcance en la cadena de suministro de memoria. La compañía ya es el principal fabricante de las GPU de Nvidia, y producir dies base de HBM añade otra corriente de ingresos de nodo avanzado. También profundiza la dependencia del ecosistema de hardware de IA de una única fundición, una concentración que ha llamado la atención a medida que se ha disparado la demanda de chips de IA.
El informe no especificó volúmenes, plazos ni términos financieros. Tampoco dijo si SK Hynix y Micron han aceptado el mismo acuerdo, aunque la solicitud de Nvidia se describió como aplicable a los tres. Los representantes de Samsung, TSMC y Nvidia no comentaron de inmediato sobre el informe.
El cambio se produce cuando la HBM se ha convertido en una de las partes más disputadas de la industria de semiconductores. Los servidores de IA necesitan grandes cantidades de esta memoria, que se apila verticalmente y se coloca cerca del procesador para reducir los cuellos de botella. La oferta ha tenido dificultades para seguir el ritmo de la demanda, y los principales fabricantes de memoria compiten por calificar sus próximas generaciones con Nvidia. Cómo equilibra Samsung sus propias ambiciones de fundición con la preferencia de Nvidia por el proceso de TSMC será una de las cuestiones clave para la industria de la memoria en el próximo año.