Avanço em memória de nova geração: 10 bilhões de ciclos de leitura e escrita HOT
Uma equipe de pesquisa liderada pela China afirma ter corrigido a falha de durabilidade da memória ferroelétrica, levando dispositivos além de 10 bilhões de ciclos de leitura e escrita. O avanço pode aproximar armazenamento mais rápido e econômico dos chips do dia a dia.