Terobosan Memori Generasi Berikutnya: 10 Miliar Siklus Baca-Tulis HOT
Tim peneliti yang dipimpin Tiongkok mengklaim telah memperbaiki cacat daya tahan pada memori feroelektrik, mendorong perangkat melewati 10 miliar siklus baca-tulis. Kemajuan ini dapat membawa penyimpanan yang lebih cepat dan hemat daya lebih dekat ke chip sehari-hari.