Yeni Nesil Bellekte Atılım: 10 Milyar Okuma-Yazma Döngüsü HOT
Çin liderliğindeki bir araştırma ekibi, ferroelektrik bellekteki dayanıklılık kusurunu giderdiğini ve cihazları 10 milyar okuma-yazma döngüsünün ötesine taşıdığını söylüyor. Bu ilerleme, daha hızlı ve az güç tüketen depolamayı günlük çiplere yaklaştırabilir.