Samsung recurre al proceso de 3 nm de TSMC para la próxima generación de HBM de NvidiaHOT
Samsung utilizará la tecnología de 3 nanómetros de TSMC para fabricar el die base de la próxima memoria de alto ancho de banda personalizada de Nvidia, rompiendo su modelo de fabricación integral. La medida sigue a la solicitud de Nvidia de que los tres proveedores de HBM adopten el proceso de TSMC.

