سامسونج تستعين بعملية 3 نانومتر من TSMC لذاكرة HBM الجديدة من إنفيدياHOT
ستستخدم سامسونج تقنية 3 نانومتر من TSMC لتصنيع القالب الأساسي لذاكرة النطاق الترددي العالي المخصصة من الجيل التالي لإنفيديا، مما يكسر نموذج التصنيع الشامل لديها. تأتي هذه الخطوة بعد طلب إنفيديا من جميع موردي HBM الثلاثة اعتماد عملية TSMC.

