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차세대 메모리 돌파구: 100억 회 읽기-쓰기 사이클 HOT

중국 주도 연구팀이 강유전체 메모리의 내구성 결함을 해결하여 장치를 100억 회 이상의 읽기-쓰기 사이클로 끌어올렸다고 밝혔다. 이 진전은 더 빠르고 전력 소모가 적은 저장장치를 일상적인 칩에 더 가까이 가져올 수 있다.