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次世代メモリの突破：100億回の読み書きサイクル HOT

中国主導の研究チームが、強誘電体メモリの耐久性の欠陥を修正し、デバイスを100億回以上の読み書きサイクルに押し上げたと発表した。この進歩により、より高速で低消費電力のストレージが身近なチップに近づく可能性がある。