Avance en memoria de nueva generación: 10 mil millones de ciclos de lectura y escritura HOT
Un equipo de investigación liderado por China afirma haber solucionado el defecto de durabilidad de la memoria ferroeléctrica, llevando los dispositivos más allá de los 10 mil millones de ciclos de lectura y escritura. El avance podría acercar un almacenamiento más rápido y de bajo consumo a los chips cotidianos.