अगली पीढ़ी की मेमोरी में सफलता: 10 अरब पढ़ने-लिखने के चक्र HOT
चीन के नेतृत्व वाली एक शोध टीम का कहना है कि उसने फेरोइलेक्ट्रिक मेमोरी में टिकाऊपन की खामी को ठीक कर लिया है, जिससे उपकरण 10 अरब पढ़ने-लिखने के चक्रों से आगे निकल गए हैं। यह प्रगति तेज़ और कम बिजली खपत वाले भंडारण को रोज़मर्रा की चिप्स के करीब ला सकती है।