Durchbruch bei Speichern der nächsten Generation: 10 Milliarden Lese-Schreib-Zyklen HOT
Ein von China geleitetes Forschungsteam behauptet, den Haltbarkeitsmangel von ferroelektrischem Speicher behoben und Geräte über 10 Milliarden Lese-Schreib-Zyklen hinausgebracht zu haben. Der Fortschritt könnte schnelleren, stromsparenden Speicher näher an Alltagschips bringen.